原子层沉积系统可以将物质以单原子膜的形式一层一层的镀在基底表面，通过交替通入不同的前驱体和材料表面发生连续的，自限性的反应。原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应直接与之前一层相关联，这种方式使每次反应只沉积一层原子，实现均匀、保形、厚度精准可控薄膜生长，可精确控制原子层量级氧化物及氮化物的均匀沉积。原子层沉积系统广泛应用于晶圆，衬底基片和纳米尺度功能器件，具有保形涂覆和高深宽比的特点。
用于超高纵横比基质的薄膜沉积。这种经验证的精密薄膜涂层方法可用于沉积横向比大于 2000：1 的基质上的保形、均匀薄膜。薄膜沉积系统配备加热前体线和增加最多 6 条线的选项。能够处理气体、液体或固体前体。
主要功能及特色
样品载物台最大可放置4寸硅片. 目前提供的氧化物沉积的有：HfO2、Al2O3、TiO2
主要附件及配置
臭氧发生器、温度100℃~250℃
主要功能包括：
原位椭圆偏振术
原位 QCM
自组装单层
2 秒周期时间
集成臭氧 低蒸汽压力沉积
批处理
基质尺寸 | 最多 100 mm |
尺寸（宽 x 深 x 高） | x 560 x 980 毫米 |
柜 | 带有可拆卸面板和可锁定前体门的白色粉末涂层的钢板 |
操作模式 | Continuous Mode?（高速）或 Exposure Mode?（超高纵横比） |
功率 | 220 VAC，1500 W（不包括泵） |
控制 | LabView?，Windows? 7，Lenovo 笔记本电脑，USB 控制 |
最大基质温度 | RT – 400 °C |
沉积均匀性 | （Al2O3) < 1% (1σ) |
周期时间 | 每周期<2 秒（AL2O3在 200 °C 下） |
真空泵 | Alcatel 2021C2 – 14.6 CFM |
兼容性 | 洁净室级别 100 兼容 |
合规性 | CE、TUV、FCC |
前体输送系统，端口 | 2 线标准，最多 6 条线可用
每条线都适合固体、液体和气体前体
线可独立加热至 200 °C |
前体输送系统，阀门 | 行业标准高速原子层沉积 (ALD) 阀，响应时间 10 毫秒 |
前体气瓶 | 独立加热 50 ml 不锈钢气瓶，更大气瓶可选 |
承载器/排气气体 | N2质量流量控制，100 SCCM |
