MJB4配有高可靠和高精度的对准系统，同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力。该设备配备可靠的在亚微米级高度精密的对准以及高分辨光刻系统。具备顶部对准系统和衍射减小光学系统。
主要规格和技术参数
MJB4 紫外曝光机主要通过开启灯光发出UVA波长的紫外线，目的是将制作在掩膜版上的图形复制到需要刻蚀和离子注入的样品上，从而完成光刻工艺。主要紫外光的波长为365nm及405nm。
主要功能及特色
样品托最大可放置4英寸晶圆，适用于碎片、25px*25px、50px*50px、2英寸以及4英寸的样品。掩膜版架最大可放置5寸掩膜版，最小要大于2英寸圆形。
主要规格和技术参数
§曝光波长：UV400 §曝光面积：100 mm（4英寸） §分辨率：≤0.8 mm §正面套刻精度：≤ ±0.5 mm §光强均匀度：100mm直径内≤±5％ §曝光模式可支持硬接触、软接触、接近和真空4种模式
主要功能及特色
§高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米； §装配SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜，实现快速准确对准； §针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统； §可选配通用光学器件，在不同波长间进行快速切换； §可通过装配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。
