基于电子自旋-能谷自由度的器件具有低功耗、非易失的优势，有望突破现代半导体电子器件摩尔定律的限制。通过外界手段有效调控能谷极化发光和能谷极化寿命是实现谷电子器件的先决条件。
我们在近共振光学激发条件下，采用栅压调控器件结构有效操控激子向三子的转化速率，首次在无磁场条件下观测到单层MoTe2材料在近红外波段的能谷极化荧光，将材料的能谷极化寿命从皮秒提升三个量级至纳秒，为推进硅基集成谷电子功能器件应用奠定了重要基础。成果发表于《自然·通讯》(Nature Communications 13, 4101 (2022))
